特許

J-GLOBAL ID：200903032857394350

半導体装置およびその製造方法

発明者： 坂田 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061139
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260376
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】Cu多層配線の信頼性の向上を図ること。【解決手段】コンタクトホール内13にTiAl3 薄膜17を介してCu配線16を形成した後、TiAl3 薄膜17とCu配線16とを固相反応させ、TiAl3 薄膜17とCu配線16との界面に、拡散防止膜としてのTi2 CuAl5膜19を形成する。

請求項（抜粋）：

銅を主成分とし、配線および電極の少なくとも一方としての導電膜と、この導電性膜の表面の少なくとも一部に設けられ、銅、高融点金属およびこれら金属とは異なる他の金属からなる高融点金属間化合物膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/90 C