特許

J-GLOBAL ID：200903032862278121

炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 田島 久義 ,  木藤 泰男 ,  北岡 英二
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025396
公開番号（公開出願番号）：特開平9-221396
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】従来の技術により成長させた炭化珪素単結晶インゴットは、6H型と4H型および15R型さらに3C型の多形が成長面内および成長方向内で混在する問題がある。【解決手段】本発明は、黒鉛製るつぼ1内に載設された炭化珪素単結晶基板3上に成長する炭化珪素単結晶面と平行に対向して配置される遮蔽板9を任意温度に維持させ、前記炭化珪素単結晶面と該遮蔽板との間の距離が一定に保つように駆動装置18,19で移動させつつ、炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法である。

請求項（抜粋）：

炭化珪素原料粉末を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、前記炭化珪素原料を充填し、加熱により該炭化珪素原料から昇華ガスを生成する、中央部に開孔が形成されたるつぼと、前記中央部の開孔に外部から前記るつぼ内部に挿入可能な支軸棒と、前記支軸棒の最上部に配置された遮蔽板と前記遮蔽板の上方で前記るつぼの上部に載設され、前記るつぼ及び前記遮蔽板の温度よりも低温を維持可能な炭化珪素単結晶基板を前記遮蔽板と平行に対向させて取り付け可能な上蓋と、前記支軸棒および前記遮蔽板を同時に上下動可能とする上下駆動装置と、を具備することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z