半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340368
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186251
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】ゲート形成部上のフォトレジストをパターニングして該パターニングしたレジストをマスクに加工を行うレジスト工程と、ゲートの側壁にサイドウォールを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、反射防止膜としてSiON膜を用いる場合も、サイドウォールの形状の劣化や、ゲート絶縁膜のサイドエッチングなどの不都合の生じない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ?@少なくともゲート形成部上に反射防止膜としてSiON膜4aを成膜した後、レジスト8を用いてレジスト工程を行い、レジスト除去後サイドウォール5を形成し、該サイドウォール5とエッチング比のとれる条件でSiON膜4をエッチングし、その後サイドウォール5の整形用加工を行う。?Aレジスト除去後SiON膜を除去するとともにレジスト工程により形成された無機マスクを用いてゲートを形成し、その後サイドウォールを形成する。

請求項（抜粋）：

ゲート形成部上のフォトレジストをパターニングして該パターニングしたレジストをマスクに加工を行うレジスト工程と、ゲートの側壁にサイドウォールを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、少なくともゲート形成部上に反射防止膜として酸化窒化シリコン膜を成膜した後上記レジスト工程を行い、レジスト除去後サイドウォールを形成し、該サイドウォールとエッチング比のとれる条件で酸化窒化シリコン膜をエッチングし、その後サイドウォールの整形用加工を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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