特許

J-GLOBAL ID：200903032882021747

酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法

発明者： 江口 勇司
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-174639
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018924
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】常圧下でのCVDにおいて、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成できるようにする。【解決手段】大気圧近傍の圧力条件でのCVD法により酸化膜を形成する装置において、所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極2,3からなる対向電極1と、この対向電極1間に電界を印加する電源4と、対向電極1間に、TMOSまたはMTMOSのプロセスガス、O2またはN2Oのプロセスガス、H2Oのプロセスガスの3成分のプロセスガスを導入するガス供給源5A〜5Cを設け、TMOSまたはMTMOSのガスとO2またはN2Oガスに、H2Oを添加してCVD処理を行うことで、常圧下でのCVDにおいて膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力条件でのCVD法により酸化膜を形成する装置であって、所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極を有する対向電極と、この対向電極間に電界を印加する電源と、前記対向電極間に、TMOSまたはMTMOSのプロセスガス(A)、O2またはN2Oのプロセスガス(B)、H2Oのプロセスガス(C)の3成分のプロセスガスを導入するガス供給源を備えていることを特徴とする酸化膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31

FI (3件)：

C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 C

Fターム (24件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030KA14 ,  4K030KA24 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC00 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AE29 ,  5F045BB16 ,  5F045BB19 ,  5F045DP03 ,  5F045EE11