絶縁膜評価パターン及びその評価方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347473
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186496
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】耐酸化性絶縁膜を有する容量絶縁膜における酸化種突き抜けの検出が難しかった。【解決手段】半導体基板上に形成された2種類以上の酸化率の異なる伝導性材料3、7上に耐酸化性絶縁膜5を有する容量絶縁膜を形成し、それぞれの絶縁膜の静電容量を測定することで、絶縁膜厚を算出し、膜厚の差により酸化種突き抜けを評価する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類以上の絶縁膜で構成されている容量絶縁膜を有する半導体装置における前記容量絶縁膜における前記2種類以上の絶縁膜の内、少なくとも1種類が耐酸化性絶縁膜である容量絶縁膜評価パターンにおいて、同一半導体基板上に少なくとも2種類以上の酸化率を有する導電性材料を備え、前記2種類以上の導電性材料上に、前記容量絶縁膜を同一工程で形成することを特徴とする絶縁膜評価パターン。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 21/66 Q

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