特許

J-GLOBAL ID：200903032891171654

しきい値電圧変更方法及び回路構造

発明者： アンジェロ ヴィスコンティ
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207874
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050187
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリのセルのしきい値電圧を、チャージポンプの使用の最適化と装置の最大の信頼性を維持しながら高速変更する方法及び回路構造を提案することにある【解決手段】 消去処理後の複数の不揮発性メモリセル、例えばフラッシュEEPROMメモリセル(NOR-MX)のしきい値電圧を変更する方法を開示する。この方法は、しきい値電圧の等化を高速に実行するとともに列バイアス用電圧源の使用を最適化するために、すべての列ラインを電圧供給源(CH-P,V-REG)に接続するステップと、供給電圧をモニタするステップ(V-SEN)と、すべての行ラインに、所定の最小値から所定の最大値まで変化し得る電圧であって、その変化率が列ラインの供給電圧がほぼ一定の所定値に維持される状態と両立し得る最大可能値に調整された電圧を供給するステップ(V-GEN,R-REG)とを具えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

行ライン及び列ラインにより互いに接続された複数の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を変更する方法において、(a)所定数の列ラインを電圧源(CH-P,V-REG)に接続するステップと、(b)前記電圧源の供給電圧をモニタするステップ(V-SEN)、(c)所定数の行ラインに、所定の最小値から所定の最大値まで変化し得る電圧であって、その変化率が列ラインの供給電圧がほぼ一定の所定値に維持される状態と両立し得る最大可能な値に調整された電圧を供給するステップ(R-GEN,R-REG)と、を具えることを特徴とするしきい値電圧変更方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 612 D ,  G11C 17/00 633 D ,  G11C 17/00 634 F

Fターム (10件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AD10 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08