特許

J-GLOBAL ID：200903032891809470

窒化ガリウム系半導体レーザ

発明者： 仁道 正明 ,  倉本 大 ,  山口 敦史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272793
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086898
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 円形に近い基本横モードのレーザ光を放出でき、かつ動作電流および素子抵抗が低い窒化ガリウム系半導体レーザ構造を提供する。【解決手段】GaNからなる下地層の上部に、下部クラッド層2、活性層4、上部クラッド層7および電極がこの順に積層し、活性層と下部クラッド層の間および/または前記活性層と上部クラッド層の間に、一または二以上の光ガイド層1が設けられ、380nm以上420nm以下の波長で発振する窒化ガリウム系半導体レーザであって、光ガイド層の合計層厚をh(μm)、下部クラッド層2の層厚をd1(μm)、下部クラッド層2の平均屈折率と等しい屈折率を有するAlGaNバルク結晶のAl組成をx、上部クラッド層7の平均屈折率と等しい屈折率を有するAlGaNバルク結晶のAl組成をyとした場合に、0.15≦h、|x-y|≦0.02、0.02≦x≦0.06、および、0.34x-0.49≦d1+2hの条件を満たす窒化ガリウム系半導体レーザとする。

請求項（抜粋）：

GaNからなる下地層の上部に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層および電極がこの順に積層し、活性層と下部クラッド層の間および/または前記活性層と上部クラッド層の間に、一または二以上の光ガイド層が設けられ、380nm以上420nm以下の波長で発振する窒化ガリウム系半導体レーザであって、光ガイド層の合計層厚をh(μm)、下部クラッド層の層厚をd1(μm)、下部クラッド層の平均屈折率と等しい屈折率を有するAlGaNバルク結晶のAl組成をx、上部クラッド層の平均屈折率と等しい屈折率を有するAlGaNバルク結晶のAl組成をyとした場合に、0.15≦h、|x-y|≦0.02、0.02≦x≦0.06、および、0.34x-0.49≦d1+2hの条件を満たすことを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/323 610

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA20 ,  5F073EA23