特許
J-GLOBAL ID:200903032893865360
発光素子の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-376486
公開番号(公開出願番号):特開2000-195669
出願日: 1998年12月25日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】 マスクを用いずに、発光層と共に性能を低下させることなく電極を微細な形状に形成できるようにする。【解決手段】 透明なガラス基板1上にアノード電極2を形成し、このアノード電極2を覆ってEL層3を形成した後、EL層3の上面全体を覆って電極層4を形成し、この電極層4をレーザ光線の照射により分割してカソード電極5を所定形状に形成するので、従来のようなマスクを用いずに、カソード電極5間のギャップをレーザ光線のスポット径の幅で形成することができ、このためEL層3と共に性能を低下させることなくカソード電極5を微細な形状に形成することができる。
請求項(抜粋):
一対の電極を有する発光素子の製造方法において、電極層をレーザ光線の照射により分割して前記一対の電極の一方を所定形状に形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (3件):
H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (3件):
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
Fターム (11件):
3K007AB00
, 3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA00
, 3K007FA01
, 3K007FA03
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