特許
J-GLOBAL ID：200903032895905334
化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202256
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124900
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 分子層エピタキシーの基本概念に基づき、高純度の結晶を低温成長で得ることができる化合物結晶のエピタキシャル成長方法、及び低温で厳密に不純物制御された高濃度な不純物密度の成長膜を単分子層オーダで得ることができる化合物結晶のエピタキシャル成長におけるドーピング方法を提供する。【構成】 真空中で加熱された基板結晶上に、化合物の複数の結晶成分ガスを所定の順序で導入して単結晶を成長させる化合物結晶のエピタキシャル成長方法において、前記結晶成分ガスと化学反応する反応ガスを前記複数の結晶成分ガスのうちの少なくとも一つと同時に導入するようにした。
請求項（抜粋）：
真空中で加熱された基板結晶上に、化合物の複数の結晶成分ガスを所定の順序で導入して単結晶を成長させる化合物結晶のエピタキシャル成長方法において、前記結晶成分ガスと化学反応する反応ガスを前記複数の結晶成分ガスのうちの少なくとも一つと同時に導入するようにしたことを特徴とする、化合物結晶のエピタキシャル成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/16
, C30B 29/40 502
