特許

J-GLOBAL ID：200903032896106087

窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法

発明者： 鬼山 英幸 ,  岡崎 均
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011885
公開番号（公開出願番号）：特開平8-208385
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】【目的】 結晶成長温度における希土類3B族ペロブスカイト基板の表面劣化を防止して高品質のGaN系半導体結晶を成長させることができる結晶成長方法、或は同基板の{101}面または{011}面上にGaN系半導体結晶のc面を安定して成長させることができる結晶成長方法を提供し、それによって青色発光材料として好適な良質のGaN系半導体結晶を得る。【構成】 面方位(101)のNdGaO3 基板を、成長開始前に、予めH2 及びNH3 雰囲気中で700°C〜1200°Cの温度で熱処理する。または、面方位(011)のNdGaO3 基板を、成長開始前に、予めNH3 雰囲気下にさらして処理する。【効果】 GaN系半導体結晶が基板上の全面に均一に成長し、或はGaN系半導体結晶のc面が安定して成長し、青色発光用半導体材料として良好なGaN系半導体結晶が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ガリウム系半導体結晶を成長させるにあたり、前記基板として希土類3B族ペロブスカイトの{101}面または{011}面を用い、該基板を、5B族の構成元素を含むガス雰囲気中に、700°C以上1200°C以下の温度で保持した後、結晶成長を行なうことを特徴とする窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00