特許
J-GLOBAL ID：200903032899517371
半導体光導波路の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226633
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 光導波路に近接して高抵抗の半導体層を形成する方法において、伝搬モードの制御と優れた電流狭窄性能とを同時にかつ容易に得られるようにする。【構成】 メサエッチングとイオン注入、あるいは選択結晶成長とイオン注入を共通の選択マスクを用いて行い、セルフアラインメントに光導波路と高抵抗層とを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に複数の半導体層をエピタキシャルに成長させて前記基板の面に実質的に平行なpn接合を含む層構造を形成するエピタキシャル工程と、光を導波しようとする経路にしたがって前記層構造の表面にマスクを形成するマスク形成工程と、このマスクが形成された領域以外の領域について前記層構造の一部の層をイオン注入により高抵抗化するイオン注入工程とを含む半導体光導波路の製造方法において、前記マスク形成工程と前記イオン注入工程との間に、前記マスクで覆われた領域を残して前記層構造をエッチングするメサエッチング工程を含み、このメサエッチング工程で使用したマスクを前記イオン注入工程でも共通に使用することを特徴とする半導体光導波路の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/15
, G02B 6/12
, H01S 3/085
, H01S 3/18
