特許

J-GLOBAL ID：200903032903397033

半導体装置

発明者： 大脇 幸人 ,  吉見 信 ,  吉田 雅子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-083455
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213564
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 SOI・nMOSFETの基板浮遊効果を防止して信頼性の高いセンスアンプ等を実現することができ、かつ高密度化、デザインルールの緩和、低ノイズを実現する半導体装置を提供する。【構成】 絶縁膜上のp型半導体層を基板として用い、該基板に設けられた複数のSOI・nMOSFETからなるフリップ・フロップ構成のセンスアンプSA1 ,SA2 を有する半導体装置において、センスアンプSA1 ,SA2 を構成する各nMOSFETのソースの一部に基板と同じp型拡散層領域5を設け、このp型拡散層領域5により該nMOSFETの基板同士を接続してなる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上の半導体層を基板として用い、該基板に設けられた複数のMOSトランジスタからなるフリップ・フロップ又はカレントミラー構成のセンスアンプ等、ゲートに印加される電位の大小をMOSトランジスタのコンダクタンスの差として検知する検知回路を有する半導体装置において、前記検知回路を構成する対となるMOSトランジスタのソース又はドレインの一部に基板と同じ導電型の拡散層領域を設け、この拡散層領域により該MOSトランジスタの基板同士を接続してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 681 G ,  H01L 29/78 613 B