特許

J-GLOBAL ID：200903032913640289

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 橋爪 勉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175231
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【構成】 質量非分離型の装置で薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域にイオン注入するとき、高エネルギーの水素粒子のチャンネル部のシリコン層への注入を防止するために、ゲート絶縁膜を酸化シリコン層と誘電率の高い酸化タンタルの2層とする薄膜トランジスタの製造方法である。【効果】 界面準位を増加させないので、伝達特性が優れた自己整合型の薄膜トランジスタを大面積の絶縁基板上にわたって形成することができる。アクティブマトリクス基板用の優れた薄膜トランジスタを提供できる。

請求項（抜粋）：

誘電率の異なる複数の絶縁膜によってゲート絶縁膜が形成されているゲート電極に対して自己整合的にソース・ドレイン領域が構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/266 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 B ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 311 G