特許
J-GLOBAL ID：200903032915611790
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054733
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246300
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】封止樹脂の積層界面での接着力が強く、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板1の上に空隙をもってフリップチップ4が配置されている。フリップチップ4と回路基板1との隙間に、液状エポキシ樹脂を注入し、15分以下の加熱によってエポキシ基が初期の30%以上残っている半硬化状態にし、フリップチップ4全体を覆うように液状エポキシ樹脂10を配置し、2時間の加熱によって積層した両樹脂を完全硬化させる。その結果、フリップチップ4と回路基板1との隙間に下層側封止樹脂7が配置されるとともに、フリップチップ4全体が上層側封止樹脂8にて覆われる。
請求項（抜粋）：
基板の上に空隙をもってチップが対向配置され、このチップと基板との隙間に下層側封止樹脂が充填されるとともに、チップ全体が上層側封止樹脂にて覆われた半導体装置の製造方法であって、チップと基板との隙間に硬化前の熱硬化性樹脂を注入する第1工程と、当該樹脂を半硬化状態にする第2工程と、チップ全体を覆うように硬化前の熱硬化性樹脂を配置する第3工程と、積層した両樹脂を完全硬化させる第4工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 R
, H01L 23/28 Z
