特許

J-GLOBAL ID：200903032919858901

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置

発明者： 齊藤 達之 ,  大和田 伸郎 ,  大橋 直史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136253
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330424
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 高信頼度でしかも電気特性の優れた配線層を有する半導体集積回路装置と、それを容易に製作できる製造方法および製造装置を提供する。【構成】 同一の製造装置を用いて、半導体素子が形成されている半導体基板の上の絶縁膜および接続孔の表面に第1の導電膜をスパッタリング法により形成する工程と、第1の導電膜が形成されている半導体基板の上に第2の導電膜としてのアルミニウム合金膜をスパッタリング法により形成する工程と、第2の導電膜としてのアルミニウム合金膜を接続孔の内部に埋め込む処理を行う工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が設けられている半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられている絶縁膜と、前記絶縁膜の選択的な領域に設けられている接続孔と、前記接続孔および前記接続孔の近傍の前記絶縁膜の表面に設けられている複数の導電膜からなる配線層とを有する半導体集積回路装置であって、前記配線層を構成している複数の前記導電膜の少なくとも1つの第1の導電膜の前記接続孔の内における膜厚は前記接続孔の近傍の前記絶縁膜の表面における膜厚よりも厚いものであり、前記第1の導電膜の上に設けられている第2の導電膜はリフローされた金属膜からなると共に前記接続孔の内部に埋め込まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/90 D