特許
J-GLOBAL ID:200903032924579310
有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-176747
公開番号(公開出願番号):特開2006-013488
出願日: 2005年06月16日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 対向電極461と、対向電極461上に備えられた少なくとも発光層を含む中間層487と、中間層487上に備えられた画素電極462と、画素電極462の上部に備えられ、画素電極462と絶縁される第1電極412と、画素電極462の上部に備えられ、画素電極462と連結される第2電極413と、第1電極412及び第2電極413と接触するp型有機半導体層480と、p型有機半導体層480の上部に備えられ、第1電極412と第2電極413及びp型有機半導体層480と絶縁された第1ゲート電極411と、を含むことを特徴とする有機電界発光ディスプレイ装置である。【選択図】 図10
請求項(抜粋):
対向電極と、
前記対向電極上に備えられた、少なくとも発光層を含む中間層と、
前記中間層上に備えられた画素電極と、
前記画素電極の上部に備えられ、前記画素電極と絶縁される第1電極と、
前記画素電極の上部に備えられ、前記画素電極と連結される第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極と接触するp型有機半導体層と、
前記p型有機半導体層の上部に備えられ、前記第1電極、前記第2電極及び前記p型有機半導体層と絶縁された第1ゲート電極と、を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置。
IPC (10件):
H01L 51/50
, G09F 9/00
, G09F 9/30
, H01L 27/32
, H05B 33/02
, H05B 33/10
, H05B 33/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 51/05
FI (11件):
H05B33/14 A
, G09F9/00 338
, G09F9/30 365Z
, H05B33/02
, H05B33/10
, H05B33/12 C
, H05B33/12 E
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 612Z
, H01L29/28
Fターム (53件):
3K007AB03
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA05
, 3K007BA06
, 3K007BB06
, 3K007DA06
, 3K007DB03
, 3K007EA04
, 3K007FA01
, 3K007FA02
, 5C094AA10
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094CA24
, 5C094DA06
, 5C094DA13
, 5C094EA04
, 5C094ED20
, 5C094FB01
, 5C094FB14
, 5C094GB10
, 5F110AA09
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN73
, 5F110QQ06
, 5G435AA03
, 5G435AA17
, 5G435BB05
, 5G435CC09
, 5G435CC12
, 5G435HH13
, 5G435KK05
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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