イオン化PVD装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-333698
公開番号（公開出願番号）：特開平10-168565
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】垂直成長性の良好な成膜が可能なイオン化PVD装置、特に、半導体基板のコンタクトホールにおいて、中性金属原子による金属膜の形成割合を低減して、ボトムカバレッジの良好な成膜が可能な比較的簡単な構成のイオン化PVD装置および、当該イオン化PVD装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】真空容器1外部に、真空容器1の中心軸および中心軸の延長軸と同心をなすように、空芯コイルMG1〜MG4が配設されている。空芯コイルMG1〜MG4は、真空容器1内に、その輪郭形状にほぼ沿ったS字形の磁場MFを形成するための電磁石であり、空芯コイルMG1およびMG4は、真空容器1の両端部近傍の直線部分の磁場を形成するように、空芯コイルMG2およびMG3は、真空容器1の屈曲部分の磁場を形成するように配設されている。

請求項（抜粋）：

輪郭形状が略S字形であって、その両端が開口部となった真空容器と、半導体基板が配置される一方の開口部側とは反対の、他方の開口部側に配設されたスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットを負電極とし、前記真空容器を正電極として、両電極間でプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記半導体基板にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記真空容器の形状に合わせて前記真空容器内に略S字形の磁場を形成するように、前記真空容器の外部に配設された磁場形成手段とを備え、前記真空容器は、互いに反対方向に屈曲した1組の屈曲部を有し、前記一方および他方の開口部が、対面しない位置関係となるように構成されるイオン化PVD装置。

前のページに戻る