特許
J-GLOBAL ID：200903032926086248
ビスマス層状化合物薄膜の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060284
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264525
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 簡略な工程で、ビスマス層状化合物薄膜を形成することが可能なビスマス層状化合物薄膜の形成方法を提供する。【構成】 真空槽1中に設けたターゲット2にパルス状のレーザービームを照射することによって照射部分を局部加熱し、前記ターゲットを構成する物質を蒸発飛散させて、前記ターゲット2に対向するように配置された基板3上に所定の組成式を有するビスマス層状化合物を成膜する成膜工程と、前記成膜工程において酸素を含有するアシストガスを導管8を介して供給する酸素供給工程とを有する。
請求項（抜粋）：
ビスマス層状化合物薄膜の形成方法において、真空中に設けたターゲットにパルス状のレーザービームを照射することによって照射部分を局部加熱し、前記ターゲットを構成する物質を蒸発飛散させて、前記ターゲットに対向するように配置された基板上に組成式(Bi2 O2 )2+(Am-1 Bm O3m+1)2-(ここで、Aはビスマス(Bi)、鉛(Pb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、カドミウム(Cd)の内から選ばれる1元素もしくは複数元素の組み合わせ、Bはチタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)の内から選ばれる1元素もしくは複数元素の組み合わせ、m=1〜5の自然数)を有するビスマス層状化合物を成膜する成膜工程と、前記成膜工程において酸素を含有するアシストガスを供給する酸素供給工程と、を有することを特徴とするビスマス層状化合物薄膜の形成方法。
IPC (9件)：
H01L 21/316
, C01G 29/00
, C01G 35/00
, C23C 14/28
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/316 X
, C01G 29/00
, C01G 35/00 C
, C23C 14/28
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
