特許
J-GLOBAL ID：200903032928255993

半導体装置の製造方法とその製造装置、結晶化方法、結晶化装置、半導体装置及び表示装置

発明者：
小川 裕之

小川 裕之 について

, 
松村 正清

松村 正清 について

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木村 嘉伸

木村 嘉伸 について

, 
平松 雅人

平松 雅人 について

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十文字 正之

十文字 正之 について


出願人/特許権者：
株式会社 液晶先端技術開発センター

株式会社 液晶先端技術開発センター について


代理人 (22件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-000161
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164321
出願日： 2008年01月04日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】従来のELA法による結晶化は、得られる結晶粒径が小さかったため、レーザ照射回数を数回以上にして大粒径化が行われているが、出力安定性や生産性、大型化によるELA装置価格の上昇等種々の問題が発生している。【解決手段】発明は、複数個のフラッシュランプ3a〜3nによる連続的な点灯により、非晶質シリコン層2の被処理面(横)方向に沿って所定の温度勾配を形成するアニール処理を施して、固相が連続的に成長するように、固相から液相に亘って適当な温度勾配を持たせながら、非晶質構造から多結晶構造に変換させて大粒径化された非晶質シリコン層2を有する半導体装置の製造方法、その製造装置、結晶化方法、半導体装置及び表示装置である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被処理半導体層に光照射して結晶化する半導体装置の製造方法であって、前記光照射は1又は複数個のフラッシュランプからなるフラッシュランプセットによるものであり、前記光照射により被処理半導体層の溶融温度を超え、且つ温度勾配を持つように加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/26
FI (2件)：
H01L21/20 ,  H01L21/26 J
Fターム (14件)：
5F152AA02 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152FF13 ,  5F152FF15 ,  5F152FF28 ,  5F152FF29 ,  5F152FG28 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (10件)
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