特許

J-GLOBAL ID：200903032929626898

半導体装置の製造方法

発明者： 田桑 哲也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304794
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148268
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板の導電体層に対してコンタクトホールを開口すると、導電体層表面の自然酸化膜によりコンタクト抵抗が増加する。この自然酸化膜はコンタクトホールの径寸法を拡大することなく好適に除去することは困難である。【解決手段】 コンタクトホールの底面に露呈されるシリコン基板1の導電体領域3の表面に薄い酸化膜5を形成した後、この酸化膜5を水素を含むプラズマによりエッチング除去する。導電体領域3の表面の自然酸化膜やダメージ層3aとエッチング残留物を好適に除去することができ、コンタクトホールの径寸法を拡大することなく微細でかつP,N型の導電型にかかわらずコンタクト抵抗の小さいコンタクト構造を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に導電体層を形成する工程と、この導電体層を覆うように絶縁膜を形成し、かつこの絶縁膜に前記導電体層を露呈させるコンタクトホールを開口する工程と、露呈された導電体層の表面に薄い酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を少なくとも水素を含むプラズマを用いて除去する工程と、コンタクトホール内に金属を埋め込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-051620
  
• 特開昭64-041218
  
• 配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-069197   出願人：ソニー株式会社