半導体装置用複合多層基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309025
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167672
出願日： 1994年12月13日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】高速動作、高密度実装を可能とする高い熱伝導率と低い誘電率を併せ持つ半導体装置用多層配線基板およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】窒化アルミニウム基板(1)と銅ポリイミド多層基板(4)とを組合せた複合多層基板とする。なお、接地及び電源層(3)を窒化アルミニウム多層基板中に、信号層(6)を銅ポリイミド多層基板中に形成することが、より高速動作、高密度実装を可能とする上から望ましい。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム基板と銅ポリイミド多層基板とが積層してあることを特徴とする半導体装置用複合多層基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 23/52 , H05K 3/46

FI (2件)：

H01L 23/12 N , H01L 23/52 C

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