特許

J-GLOBAL ID：200903032935744614

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 林 朋彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349443
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186415
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 フローティングゲート電極とコントロールゲート電極の対向面積が大きく、高速動作が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は溝10内に形成された分離酸化膜53を備える。分離酸化膜53の表面はシリコン基板1の主表面よりも低い位置を有する。フローティングゲート電極4とコントロールゲート電極6とはシリコン基板1の主表面の上から分離酸化膜53の表面の上に延在するように形成される。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に第1の誘電体膜を介在させて形成されたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に第2の誘電体膜を介在させて形成されたコントロールゲート電極とを備え、前記半導体基板は前記フローティングゲート電極に隣接する部分に形成された溝を有し、前記溝内に形成された分離絶縁膜をさらに備え、前記分離絶縁膜の表面は前記半導体基板の主表面よりも低い位置を有し、前記フローティングゲート電極と前記コントロールゲート電極とは前記半導体基板の主表面の上から前記分離絶縁膜の表面の上に延在するように形成される、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 434