半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055445
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263797
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、発振波長の僅かに異なる複数のグレーティング結合型表面発光DFBレーザをワン・チップに集積してなる集積化半導体レーザにおいて、生産性および汎用性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、p-InP基板11上に、p-InPバッファ層12、InGaAsP活性層13、InGaAsP導波路層14を順に積層し、この上に、僅かずつ周期が変化された4つのグレーティング15を、その一部を共有させて放射状に配置する。また、各グレーティング15に沿ってInGaAsP活性層13をストライプ状にメサエッチングし、埋め込み型構造を形成する。こうして、複数のDFBレーザの出力スポットを一点に集めて集積させることで、出力窓20からの4種の光出力を光ファイバに直に結合できる構成となっている。

請求項（抜粋）：

発振波長の異なる複数のグレーティング結合型表面発光分布帰還型レーザの各共振器が、半導体基板上の一点を共有するように配置されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-231791
特開昭57-170582
特開平1-105590

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