特許

J-GLOBAL ID：200903032943147510

薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： 井上 孝
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212085
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055572
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は高温に耐え得る配線膜の配線抵抗を低下し、アクティブマトリックス素子の透過率は現状と変わらない薄膜トランジスタを提供すること。【構成】 本発明の薄膜トランジスタとその製造方法は、高融点金属シリサイド膜を形成してフォトリソグラフィイ後に熱処理を施すことで、配線抵抗を低下しなおかつアクティブマトリックス素子の透過率を変化させないこと。また、高融点金属シリサイド膜のモリブデンシリサイド膜を使用してさらに配線抵抗を低下したい場合は、前記モリブデンシリサイド膜の下に多結晶珪素層を形成すると効果があがる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成する薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス素子において、(a)配線材料や薄膜トランジスタのゲ-ト電極材料として、モリブデンシリサイド、チタンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイド等の高融点金属シリサイド膜を堆積する工程と、(b)該高融点金属シリサイド膜をフォトリソグラフィイする工程と、(c)該高融点金属シリサイド膜を熱処理する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 P