特許
J-GLOBAL ID：200903032943381326
分子線エピタキシー用分子線源ルツボ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-159089
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022314
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】分子線エピタキシー用分子線源ルツボのリップ部が傾斜しており、その傾斜角度が10°〜75°で、かつルツボの材質が熱分解窒化ほう素(PBN) 、熱分解グラファイト(PG)、 熱分解炭化けい素(PSiC)、 熱分解窒化けい素(PSi3N4)または熱分解窒化アルミニウム(PAlN)であり、 CVD反応により製造されたものであることからなる。【効果】本発明による傾斜リップ型ルツボをK-セルに装着し、薄膜成長室にセットして運転すれば、超高真空下において使用高温度の状態を保持しながらマニュピレータを用いて金属原料を供給することが出来るため、装置の再立ち上げ操作を省略することが可能となり、 MBE装置の稼動率の向上が図れ、膜品質の安定向上にも有効である。
請求項（抜粋）：
ルツボのリップ部が傾斜していることを特徴とする分子線エピタキシー用分子線源ルツボ。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C23C 14/24
, C30B 23/08
