特許
J-GLOBAL ID:200903032944629909
回路基板およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-114147
公開番号(公開出願番号):特開2007-287953
出願日: 2006年04月18日
公開日(公表日): 2007年11月01日
要約:
【課題】電子部品搭載部の配線がセミアディティブ法に使用するめっきレジストの解像度以下の微細な配線幅とした回路基板を提供する。 【解決手段】絶縁樹脂の上に金属層がある回路基板の製造方法であって、絶縁樹脂の表面に第1金属層を形成する工程と、第1レジスト層として第1金属層の表面に金属配線パターン用のめっきレジスト層を設け、電解めっきによって第2金属層のパターンを形成する工程と、めっきレジスト層を剥離した後、露出した第1金属層をエッチング液で除去する工程と、第2レジスト層として電子部品搭載部以外の配線パターン上にエッチングレジスト層を設け、電子部品搭載部分の配線パターンである第1金属層と第2金属層の厚さを減じる工程を有する回路基板の製造方法。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
絶縁樹脂の上に金属層がある回路基板の製造方法であって、絶縁樹脂の表面に第1金属層を形成する工程と、第1レジスト層として第1金属層の表面に金属配線パターン用のめっきレジスト層を設け、電解めっきによって第2金属層のパターンを形成する工程と、めっきレジスト層を剥離した後、露出した第1金属層をエッチング液で除去する工程と、第2レジスト層として電子部品搭載部以外の配線パターン上にエッチングレジスト層を設け、電子部品搭載部分の配線パターンである第1金属層と第2金属層の厚さを減じる工程を有する回路基板の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (31件):
5E339AA02
, 5E339AB02
, 5E339AD01
, 5E339BC02
, 5E339BD08
, 5E339BE13
, 5E339CC01
, 5E339CC02
, 5E339CD01
, 5E339CE02
, 5E339CE11
, 5E339CE13
, 5E339CE18
, 5E339CF16
, 5E339CF17
, 5E343AA02
, 5E343AA12
, 5E343AA18
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB38
, 5E343BB44
, 5E343CC63
, 5E343DD25
, 5E343DD43
, 5E343DD76
, 5E343ER18
, 5E343ER26
, 5E343ER51
, 5E343GG11
引用特許:
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