特許
J-GLOBAL ID：200903032948989322
分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217441
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136527
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 利得結合型の分布帰還型半導体レーザの利得結合をさらに高め、さらに屈折率結合成分を打ち消すことができるようにする。【構成】 異方性エッチングにより半導体層4に凸部の上端が平坦な凹凸形状5を設け、これに薄いバッファ層6を介して活性層7を成長させる。活性層7は、その両面に凹凸形状が形成され、半導体層4の凹凸形状5の凹部に対応する部分が厚く形成され、利得が周期的に変化する構造が得られる。
請求項（抜粋）：
周期的な凹凸形状が設けられた半導体層(4)と、この半導体層の上に薄いバッファ層(6)を介してエピタキシャルに形成された活性層(7)とを備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、前記半導体層の凹凸形状はその凸部の上端が平坦な形状であり、前記活性層は、その両面に凹凸形状が形成され、前記半導体層の凹凸形状の凹部に対応する部分が厚く形成されたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
IPC (2件)：
引用特許：
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