特許
J-GLOBAL ID：200903032950625052
分子線結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259272
公開番号（公開出願番号）：特開平6-116086
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：
【要約】【目的】 分子線結晶成長方法に関し、基板に生成された酸化膜を除去する為の熱処理時に於いて、適切なAsビーム圧となるようにAsビームの照射を行い、しかも、良質のAs化合物半導体結晶を成長させることができるようにする。【構成】 発生するAsビーム圧が異なる低Asビーム圧用As分子線セル13及び高Asビーム圧用As分子線セル15、Al分子線セル17、In分子線セル19を備えた成長室11内にInP基板21をセットし、酸化膜が低温で解離可能な低Asビーム圧のAsビームを低Asビーム圧用As分子線セル13から照射しつつInP基板21上の酸化膜除去を行ない、次に、前記低Asビーム圧に比較して充分に高く且つ良質のAs化合物半導体結晶を成長可能な高Asビーム圧のAsビームを高Asビーム圧用As分子線セル15から照射しつつInP基板21上にAs化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
発生するAsビーム圧を異にする複数のAs分子線セル及び所要の分子線セルを備えた分子線結晶成長室内にInP基板をセットしてから酸化膜が低温で解離可能な低Asビーム圧のAsビームを照射してInP基板上の酸化膜除去を行なう工程と、次いで、前記低Asビーム圧に比較して充分に高く且つ良質のAs化合物半導体結晶を成長可能な高Asビーム圧のAsビームを照射して前記InP基板上にAs化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程とが含まれてなることを特徴とする分子線結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 23/08
, C23C 14/24
, H01L 21/203
