特許

J-GLOBAL ID：200903032956578625

赤外線固体撮像素子

発明者： 中西 淳治 ,  石川 智広
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026227
公開番号（公開出願番号）：特開2001-215152
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 画素に電流を流す際の自己発熱によるダイオード温度上昇と、基板温度変動による画素および読み出し回路の温度変動を補償する赤外線固体撮像素子を提供するものである。【解決手段】 半導体基板1上に空隙104を介して設けられた第1の中空構造体102、103を有し、被写体から放出された赤外線を吸収する第1の吸収部106と、第1の中空構造体102、103に設けられ、第1の吸収部106で吸収された赤外線による熱に基づいて温度上昇し、該温度に応じた検知信号を生成する第1の検知部110とが設けられた有効画素24と、半導体基板1上に空隙4を介して設けられた第2の中空構造体2、3を有し、第2の中空構造体2、3に設けられ、有効画素24による赤外線の検知時に温度上昇し、該温度に応じたリファレンス信号を生成する第2の検知部10が設けられたリファレンス画素25とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に空隙を介して設けられた第1の中空構造体を有し、被写体から放出された赤外線を吸収する第1の吸収部と、前記第1の中空構造体に設けられ、前記第1の吸収部で吸収された前記赤外線による熱に基づいて温度上昇し、該温度に応じた検知信号を生成する第1の検知部とが設けられた有効画素と、前記半導体基板上に空隙を介して設けられた第2の中空構造体を有し、前記第2の中空構造体に設けられ、前記有効画素による前記赤外線の検知時に温度上昇し、該温度に応じたリファレンス信号を生成する第2の検知部が設けられたリファレンス画素とを備えたことを特徴とする赤外線固体撮像素子。

IPC (2件)：

G01J 1/02 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

G01J 1/02 C ,  H01L 27/14 K

Fターム (20件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA34 ,  2G065BA40 ,  2G065BB21 ,  2G065BC05 ,  2G065BC11 ,  2G065BC15 ,  2G065CA21 ,  2G065CA30 ,  2G065DA20 ,  4M118AA01 ,  4M118AA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA40 ,  4M118FA50 ,  4M118FB09