特許

J-GLOBAL ID：200903032957438797

半導体装置の製造方法

発明者： 村山 敏宏 ,  足立 充 ,  姫野 雄治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216228
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064934
出願日： 1996年08月16日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ裏面の汚染物質が当該半導体チップと樹脂との接着力を弱め、後の熱工程で界面の剥離や水分による封止樹脂のクラックの原因になる。【解決手段】 半導体チップの裏面の一部分を露出させる状態で当該半導体チップをリードフレームのダイパッド上に固定するダイボンド工程S3と、半導体チップとダイパッドとを樹脂で封止する樹脂封止工程S5と、を行う半導体装置の製造方法において、ダイボンド工程S3と樹脂封止工程S5との間に、半導体チップ洗浄工程S5’を行う。この工程では、ドライ洗浄によって半導体チップの裏面の露出部分を洗浄する。これによって、樹脂と半導体チップとの界面の汚染物質を除去し、当該界面における接着力を確保する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの裏面を露出させる状態で当該半導体チップをダイパッド上に固定するダイボンド工程と、前記半導体チップと前記ダイパッドとを樹脂で封止する樹脂封止工程と、を行う半導体装置の製造方法において、前記ダイボンド工程と前記樹脂封止工程との間に、前記半導体チップの裏面の洗浄工程を行うこと、を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/304 341 D