特許

J-GLOBAL ID：200903032960032203

化合物半導体装置の製造方法

発明者： 長谷川 好道
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158916
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013585
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ポリイミドとレジストなどのマスク部材を併用する場合、マスク部材だけを除去する製造方法を提供することにより、ポリイミドによる下地金属の絶縁性を維持し、半導体装置の配線不良をなくす。【構成】 配線金属2により段差が生じた基板1の表面をポリイミド層3で平坦化する工程と、コンタクトホール3cに少なくとも2種類の金属材を積層させて埋め込み、配線金属2と接続した金属層4を形成する工程と、コンタクトホール3c上の金属層4の上面にマスク部材5を形設し、コンタクトホール3cの周囲に配置された金属層4の上層部4bをイオンミリングで除去する工程と、マスク部材5をアッシングで除去した後、コンタクトホール3c上の金属層4をマスクとしてコンタクトホール3cの周囲に配置された金属層4の下層部4aを異方性エッチングで除去する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

ポリイミド層を用いた多層配線構造を有する化合物半導体装置の製造方法において、配線金属により段差が生じた化合物半導体の基板表面にポリイミド材を塗付することにより、前記基板表面をポリイミド層で平坦化する工程と、前記ポリイミド層にコンタクトホールを形成することにより、前記配線金属の一部を前記ポリイミド層から露出させる工程と、前記コンタクトホールに少なくとも2種類の金属材を積層させて埋め込み、前記配線金属と接続した金属層を前記ポリイミド層上に形成する工程と、前記コンタクトホール上の金属層の上面にマスク部材を形設し、当該マスク部材を用いて前記コンタクトホールの周囲に配置された金属層の上層部をイオンミリングで除去する工程と、前記マスク部材をアッシングで除去した後、前記コンタクトホール上の金属層をマスクとして前記コンタクトホールの周囲に配置された金属層の下層部を異方性エッチングで除去する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。