特許

J-GLOBAL ID：200903032961400133

半導体装置

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183043
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036428
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 窒素を含有するIII -V族化合物半導体層の積層構造を備えた、プレーナ型であり且つ高輝度の短波長LEDを提供する。【構成】 アルミニウムからなる基板表面上に含窒素 III-V族化合物半導体からなる積層構造を直接堆積させた積層構造から半導体装置を構成する。特に、含窒素 III-V族化合物半導体がAl<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x≦1)である積層構造から半導体装置を構成する。【効果】 プレーナ型であり高輝度の短波長LEDがもたらされる。

請求項（抜粋）：

アルミニウムからなる基板表面上に窒素を含む含窒素III -V族化合物半導体からなる積層構造を直接堆積させた積層構造を備えてなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205