特許
J-GLOBAL ID：200903032965558254
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001161
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206245
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】半導体チップ周縁部近傍に設けた特性チェック用トランジスタのゲート長と、内部回路のトランジスタのゲート長とを一致させ、両者間の特性差を防止する。【構成】特性チェック用トランジスタのゲート電極2の両側に内部回路のトランジスタのゲート電極の間隔と同一の間隔を有する複数のダミーゲート電極5をゲート電極2に平行に設けることにより、エッチングの影響による寸法の差異をなくす。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に特性チェック用のトランジスタを設けた半導体装置において、前記特性チェック用のトランジスタのゲート電極と平行に設けた複数のダミーゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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