特許

J-GLOBAL ID：200903032965616645

薄膜ダイヤモンドの製造方法

発明者： 上西 繁 ,  田中 潤一 ,  松永 宏典 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263459
公開番号（公開出願番号）：特開平6-116088
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤモンド結晶合成時の核発生密度を1010個/cm2以上にしてより緻密で平坦な薄膜ダイヤモンドを形成する。【構成】 アルコールに約27%の水酸化カリウムを混合した溶液にp型シリコン(100)基板を浸し、異方性エッチングを行って基板表面にピラミッド形状の凹凸を形成する。粒子径0.25μmのダイヤモンド粉末を2gを分散させた100ccのエタノールに該基板を浸して1時間超音波洗浄を行う。こうすることによって、基板表面の凹凸部に微小ダイヤモンド粒子が〜109個/cm2程度残って、核発生密度を大略1010個/cm2に増加できる。したがって、この残留微小粒子を核として気相合成法によって薄膜ダイヤモンドを合成すれば、緻密で平坦な多結晶薄膜ダイヤモンドを形成できる。

請求項（抜粋）：

基板の表面に微小な凹凸を形成して基板表面積を増加させた後、この微小な凹凸が形成された基板に微細ダイヤモンド粒子による表面傷付け前処理を実施し、該基板上に薄膜ダイヤモンドを気相合成することを特徴とする薄膜ダイヤモンドの製造方法。