特許

J-GLOBAL ID：200903032966377539

発光素子

発明者： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033659
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245424
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】検査工程の信頼性が高く、素子の作製工程が簡便になる電極側へ発光させる場合に、電極金属の占める面積を小さくしても実用的な発光分布を有し、寿命も長い発光素子を提供する。【構成】一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1)で表されるn型の3-5族化合物半導体からなる層と、一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(ただし、x’+y’+z’=1、0<x’<1、0<y’<1、0≦z’<1)で表されるp型の3-5族化合物半導体からなる層との接合面を少なくとも1つ有する3-5族化合物半導体を用いた発光素子において、いずれかの層中の少なくとも一方に、キャリア濃度の異なる少なくとも2つの層を有することを特徴とする発光素子。

請求項（抜粋）：

一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1)で表されるn型の3-5族化合物半導体からなる層と、一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(ただし、x’+y’+z’=1、0<x’<1、0<y’<1、0≦z’<1)で表されるp型の3-5族化合物半導体からなる層との接合面を少なくとも1つ有する3-5族化合物半導体を用いた発光素子において、いずれかの層中の少なくとも一方に、キャリア濃度の異なる少なくとも2つの層を有することを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203