特許

J-GLOBAL ID：200903032974353940

半導体材料製造装置

発明者： 佐藤 幸人
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098921
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291038
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 粒界位置制御された溶融再結晶化膜を高能率で形成可能である。【構成】 レーザ光源3からのS偏光のビームBM0がビ-ムスプリッタ5aに入射すると、反射光(S偏光)BM1と透過光(S偏光)BM2とに分割される。透過光BM2は、1/2波長板6aを通過し、P偏光のビ-ムとなった後、ビ-ムスプリッタ5bで、反射光(P偏光)BM3と透過光(P偏光)BM4とに分割される。このようにして、ビ-ムスプリッタ5a,5b,5c,5dからは、S偏光BM1,P偏光BM3,S偏光BM5,P偏光BM7が反射光として得られ、全反射ミラ-7a,7b,7c,7d,集光レンズ8a,8b,8c,8dを介し、絶縁性基板1上の半導体材料2に直線状の配列で入射する。半導体材料2を矢印Aの方向に走査することで、これを連続的に溶融し、再結晶化できる。

請求項（抜粋）：

1つのレ-ザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザビームを複数のビ-ムに分割し、多結晶あるいは非晶質の半導体材料に所定の間隔で入射させる分割入射手段とを有し、前記分割入射手段は、前記レ-ザ光源からのレ-ザビ-ムを2種類の偏光状態のいずれかを有する複数のビ-ムに分割し、一の種類の偏光状態をもつビ-ムと他の種類の偏光状態をもつビ-ムとを交互にかつ所定の間隔で直線状に並べて前記半導体材料に入射させるようになっていることを特徴とする半導体材料製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784