特許
J-GLOBAL ID：200903032978425172
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038898
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252177
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 アンドープ条件での成長によっても高い導電性を示す化合物半導体によるFETをにおいて、ピンチオフ特性の改善をはかり、ノーマリーオフ型のFETを実現し、さらにソース抵抗の改善、したがってノイズ特性の改善をはかる。【構成】 第1導電型のチャネル層1の少なくとも一方の面にこのチャネル層1よりも電子親和力が小さく第2導電型の不純物がドープされた障壁層2を設けたFETを構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のチャネル層の少なくとも一方の面に該チャネル層よりも電子親和力が小さく第2導電型の不純物がドープされた障壁層が設けられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
