特許

J-GLOBAL ID：200903032981796009

高密度プラズマ処理装置

発明者： ユーリ ニコラエヴィッチ トルマチョフ ,  セルゲイ ヤコブレヴィッチ ナバラ ,  馬 東 俊 ,  金 大 一
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150507
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019968
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】均一なプラズマを形成できる高密度プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】内部にサセプター112、上部に誘電体ウィンドウ116が設置された工程チャンバ110と、工程チャンバ110内に反応ガスを入れるガス注入口122と、誘電体ウィンドウ116上部に設置され、工程チャンバ110の中心部に対応する位置に配置されてRF電源から工程チャンバ内部に高周波を送るICPアンテナ130と、マイクロ波発振機140から発振されたマイクロ波を送る導波管142と、誘電体ウィンドウ116の上部に設置されて導波管142に連結され、工程チャンバ110の周辺部に対応する位置にICPアンテナ130を取り囲むように配置され、その底壁に設けられた複数のスロット148を通じて工程チャンバ110内部にマイクロ波を放射する環状の放射管146とを具備するプラズマ処理装置である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

内部に被処理物を支持するサセプターを有し、上部に誘電体ウィンドウが設置された工程チャンバと、 前記工程チャンバの内部に反応ガスを入れるためのガス注入口と、 前記誘電体ウィンドウの上部に設置され、前記工程チャンバの中心部に対応する位置に配置されて、高周波電源から前記工程チャンバ内部に高周波パワーを送る誘導結合プラズマアンテナと、 マイクロ波発振機から発振されたマイクロ波を送る導波管と、 前記誘電体ウィンドウの上部に設置されて前記導波管に繋がれ、前記工程チャンバの周辺部に対応する位置で前記誘導結合プラズマアンテナを取り囲むように配置され、その底壁に設けられた複数のスロットを通じて前記工程チャンバ内部にマイクロ波を放射する環状の放射管と、を具備することを特徴とする高密度プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

FI (5件)：

H01L21/302 101D ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 C ,  H05H1/46 L

Fターム (18件)：

5F004AA01 ,  5F004BA14 ,  5F004BB08 ,  5F004BB14 ,  5F004BB22 ,  5F004BB32 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F045AA10 ,  5F045BB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH17 ,  5F045EM05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願公開第2002/0121344号明細書