半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192588
公開番号（公開出願番号）：特開平8-337638
出願日： 1988年02月15日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【課題】高温雰囲気中に長期間放置しても優れた信頼性を保持し、かつ放射性物質によるメモリーの誤動作を生起しない半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(F)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)臭素化エポキシ樹脂。(D)U,Th含有量が10ppb以下の酸化アンチモン粉末。(E)U,Th含有量が10ppb以下の溶融シリカ粉末。(F)下記の式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化1】

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(F)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)臭素化エポキシ樹脂。(D)U,Th含有量が10ppb以下の酸化アンチモン粉末。(E)U,Th含有量が10ppb以下の溶融シリカ粉末。(F)下記の式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化1】

IPC (11件)：

C08G 59/40 NJW , C08G 59/20 NHN , C08G 63/00 NKV , C08K 3/20 , C08K 3/22 , C08K 3/36 NKX , C08L 61/04 LKB , C09J163/00 JFL , C09K 3/10 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (10件)：

C08G 59/40 NJW , C08G 59/20 NHN , C08G 63/00 NKV , C08K 3/20 , C08K 3/22 , C08K 3/36 NKX , C08L 61/04 LKB , C09J163/00 JFL , C09K 3/10 L , H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-019625
特開昭58-151318
特開昭61-111569

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