特許
J-GLOBAL ID：200903032989183480
昇圧回路および電位制御昇圧回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117797
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099772
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 所定のノードのプリチャージを電源電位まで高める。【構成】 電源1とノードBとの間に設けられたプリチャージ素子となるPチャンネルMIS型電界効果トランジスタ15と、このPチャンネルMIS型電界効果トランジスタ15を所定のタイミングで導通制御するプリチャージ制御回路16と、ノードBに接続されノードBの電位を電源電位VDD以上に昇圧するポンプ回路4と、ノードBの電位をノードDに伝達する出力制御回路10とを備えている。
請求項（抜粋）：
電源と所定のノードとの間に設けられたプリチャージ素子と、このプリチャージ素子を導通制御して前記所定のノードを電源電位までプリチャージするプリチャージ制御回路と、前記所定のノードに接続されプリチャージ後に前記所定のノードの電位を電源電位以上に昇圧するポンプ回路と、前記所定のノードの電位を出力端子に伝達する出力制御回路とを備えた昇圧回路。
IPC (3件)：
H02M 3/07
, H03K 19/094
, H03K 19/0952
