特許

J-GLOBAL ID：200903032992693082

電界吸収型光変調器の実装方法

発明者： 吉田 誠史
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 川久保 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040496
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230328
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 電界吸収型光変調器の実装方法において、チップ抵抗器を終端抵抗器として使用する場合、バイアス電圧の印加によるチップ抵抗器の発熱がなく、電界吸収型光変調器の変調特性に影響を与えず、広帯域応答を実現することができる電界吸収型光変調器の実装方法を提供することを目的とするものである。【構成】 チップ抵抗器を伝送路の終端抵抗器として電界吸収型光変調器と並列に接続し、平行平板コンデンサ等の高周波領域包合コンデンサと、積層セラミックコンデンサ等の低周波領域包合コンデンサとを互いに並列に接続し、高周波領域包合コンデンサと低周波領域包合コンデンサとをチップ抵抗器と直列に接続するものである。

請求項（抜粋）：

電界吸収型光変調器の実装方法において、チップ抵抗器を伝送路の終端抵抗器として上記電界吸収型光変調器と並列に接続する段階と;高周波領域の周波数特性が優れた高周波領域包合コンデンサと低周波領域の周波数特性が優れた低周波領域包合コンデンサとを互いに並列に接続する段階と;上記高周波領域包合コンデンサと上記低周波領域包合コンデンサとを上記チップ抵抗器と直列に接続する段階と;とを有することを特徴とする電界吸収型光変調器の実装方法。