特許
J-GLOBAL ID:200903032995253750

パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-293670
公開番号(公開出願番号):特開平10-140399
出願日: 1996年11月06日
公開日(公表日): 1998年05月26日
要約:
【要約】【課題】 マイクロマシン、等の作製に当たって、微細で、高精度で、且つ厚みの大きなパターンを、安価且つ簡便に形成できる形成方法を提供すること。【解決手段】 導電性物質から構成され、且つ表面にステンシルマスクパターンを配置してなる固体を陽極とし、導電性物質からなる対電極を陰極として両電極間に定電流電源を接続し、電流を流し、陽極側の導電性物質の表面を電気分解することによって、上記課題を満足するパターン形成を可能にした。
請求項(抜粋):
少なくとも第一の導電性物質から構成され、且つパターン形成されたレジストからなるステンシルマスクが配置された被加工体と、第二の導電性物質からなる陰極とを電解質溶液中に配置し、前記第一の導電性物質を陽極とし、前記陽極と前記陰極との間に電流を流し、前記第一の導電性物質の表面を電気分解することによりエッチングすること(以下、電解エッチング法とする)を特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
C25F 3/02 ,  H01L 21/3063
FI (2件):
C25F 3/02 C ,  H01L 21/306 L

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