特許

J-GLOBAL ID：200903032997702853

マスクの製造方法

発明者： 長谷川 秀明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170518
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036254
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 反転したレジストパターンを形成する際、設計データから反転処理して新たな別の露光データを作成することなく、露光処理を短時間で行うことができ、しかも、均一な精度でレジストパターンを形成することができる。【構成】 被エッチング膜2上に感光性レジスト3を塗布する工程と、次いで、該感光性レジスト3を露光、現像処理してパターニングする工程と、次いで、全面にドライエッチング耐性を有する耐ドライエッチング薄膜4を形成する工程と、次いで、該感光性レジスト3を除去する工程と、次いで、耐ドライエッチング薄膜4をマスクとして該被エッチング膜2をドライエッチングする工程とを含む。

請求項（抜粋）：

被エッチング膜(2)上に感光性レジスト(3)を塗布する工程と、次いで、該感光性レジスト(3)を露光、現像処理してパターニングする工程と、次いで、全面にドライエッチング耐性を有する耐ドライエッチング薄膜(4)を形成する工程と、次いで、該感光性レジスト(3)を除去する工程と、次いで、耐ドライエッチング薄膜(4)をマスクとして該被エッチング膜(2)をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とするマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 J