特許

J-GLOBAL ID：200903033000257428

太陽電池及びその製造方法

発明者： 西田 誠 ,  兼岩 実 ,  岡本 諭 ,  山嵜 一郎 ,  小松 雄爾 ,  南森 孝幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307253
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097916
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 シリコン半導体基板の裏面に微結晶シリコン層からなる裏面電界層を形成した太陽電池に関し、変換効率の高い太陽電池を提供する。【解決手段】 P型シリコン半導体基板11の裏面上に、裏面電極19と接続される接続領域21に対応する位置にシリコン酸化膜16が領域20に部分的に形成され、さらに、P+ 型微結晶シリコン層17、絶縁膜層18、裏面電極19が順次形成されている。太陽電池に300°C以上の熱処理を施して、P+ 型微結晶シリコン層の裏面電界効果を高めることによって、変換効率の高い太陽電池を得ることができる。

請求項（抜粋）：

光入射側の第1導電型のシリコン半導体基板上に第2導電型のシリコン半導体層が設けられ、光入射側と反対側の上記シリコン半導体基板上に第1絶縁層が所定領域のみに設けられ、上記シリコン半導体基板より高濃度の第1導電型の微結晶シリコン半導体層が上記所定領域を覆うように設けられ、上記所定領域に対応する開口部を有する第2絶縁層が上記微結晶シリコン半導体層上に設けられ、裏面電極が上記開口部を覆うように設けられ上記微結晶シリコン半導体層と導通することを特徴とする太陽電池。