特許
J-GLOBAL ID：200903033001226836
半導体処理装置のガス分析方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-271440
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086574
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体処理装置の処理特性に影響を及ぼすリークやガス組成の変化の監視をin-situに行なうことができるように改良された半導体処理装置のガス分析装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 半導体処理装置100のチャンバの外壁8に、チャンバ内のガスを取出す管路7が設けられている。管路7より取出された分析用ガスをガス分析用チャンバ5が収容する。ガス分析用チャンバ5の近傍に放電生成部1が取付けられている。放電生成部1は、高周波を発生し、ガス分析用チャンバ5内に分析用ガスのプラズマを形成する高周波発生コイル3を含む。当該装置は、さらに、分析用ガスのプラズマの発光波長を分析する分光器を備える。
請求項（抜粋）：
半導体処理装置のチャンバの外壁に設けられ、チャンバ内のガスを取出す管路と、前記管路より取出された分析用ガスを収容するガス分析用チャンバと、前記ガス分析用チャンバの近傍に取付けられた放電生成部と、を備え、前記放電生成部は、高周波を発生し、前記ガス分析用チャンバ内に前記分析用ガスのプラズマを形成する高周波発生手段とを含み、当該装置は、さらに、前記分析用ガスのプラズマの発光波長を分析する手段を備える、半導体処理装置のガス分析装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, G01N 21/73
G01N 21/73
, H01L 21/302 E
2G043CA02
, 2G043DA05
, 2G043GA10
, 2G043GB10
, 2G043GB13
, 2G043JA01
, 2G043KA01
, 2G043KA02
, 2G043MA06
, 2G043NA13
, 5F004AA16
, 5F004BC08
, 5F004CB02
, 5F004DA04
, 5F004DA11
