特許
J-GLOBAL ID：200903033002024790
電力変換装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-351230
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 素子保護動作ができる小型の電力変換装置を提供する。【構成】 この発明の電力変換装置は、変流器7の対をなす一次巻線に逆方向の電流が流れるようにいずれか一方の一次巻線を一方のスナバー回路21の抵抗51に、他方の一次巻線を他方のスナバー回路22の抵抗52にそれぞれ直列接続し、この変流器の二次巻線に発生する信号を検知するようにし、なおかつ、上記信号検知時には他の健全な素子をゲートオフすると共に、過電圧抑制用半導体素子2をオンさせるようにして制御整流素子の短絡などの異常を最少限の部品で検出する。
請求項（抜粋）：
偶数個の制御整流素子が一対ずつ同極性で直列接続されると共に、ダイオードおよび抵抗の並列接続回路にコンデンサが直列接続されて成るスナバー回路が前記制御整流素子それぞれに並列接続され、前記一対の制御整流素子の直列接続回路それぞれの両端に電圧を印加し、これらの制御整流素子を同一のタイミングでスイッチング動作させる電力変換装置において、直流入力部に過電圧抑制用の半導体素子を設け、前記制御整流素子の直列接続回路ごとの前記一方のスナバー回路の抵抗に流れる電流と、他方のスナバー回路の抵抗に流れる電流との差を検出し、この差が所定値以上大きくなった時に前記制御整流素子それぞれをゲートオフすると共に前記過電圧抑制用の半導体素子を点弧する制御回路を設けて成ることを特徴とする電力変換装置。
IPC (2件)：
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