特許

J-GLOBAL ID：200903033005299323

レーザーアニール法

発明者： 品川 陽明 ,  河内 玄士郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-256432
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097351
出願日： 1997年09月22日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】半導体に単純にレーザー照射することで、下地基板に対して平行な方向に結晶成長させ、結晶粒径の大きな結晶性半導体を製造できるレーザーアニール法を確立する。【解決手段】レーザーアニール時に、一次元方向のみのビーム(エネルギー)プロファイルを、エネルギーの大きな部位とそれと比較してエネルギーの小さな部位が交互に並んだ形状のレーザー光を照射する。

請求項（抜粋）：

半導体にレーザー光を照射して、溶融再結晶化させ、結晶性半導体を作製するレーザーアニール法において、半導体が溶融した際に、下地基板に対して平行な方向に温度勾配を生じさせるビーム形状のレーザー光を照射することを特徴とするレーザーアニール法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/268 F