特許

J-GLOBAL ID：200903033005653046

3族窒化物半導体素子

発明者： 山崎 史郎 ,  永井 誠二 ,  小池 正好 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308251
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129925
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】3族窒化物半導体を用いた素子を高性能化し製造速度を向上させる。【解決手段】基板1と基板1上に形成されたバッファ層2とそのバッファ層2上に形成された3族窒化物半導体から成る基底層3とその基底層3上に形成された3族窒化物半導体から成る素子層4,5,61,62とを有する半導体素子10において、基底層3を有機金属化合物気相成長法(MOVPE) により形成し、素子層4,5,61,62を分子線エピタキー法(MBE) により形成した。

請求項（抜粋）：

基板と基板上に形成されたバッファ層とそのバッファ層上に形成された3族窒化物半導体から成る基底層とその基底層上に形成された3族窒化物半導体から成る素子層とを有する半導体素子において、前記基底層は有機金属化合物気相成長法(MOVPE) により形成された層であり、前記素子層は分子線エピタキー法(MBE) により形成された層であることを特徴とする3族窒化物半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314770   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開平2-081483
  
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝