液晶表示装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285352
公開番号（公開出願番号）：特開平10-133227
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】工程の増加なく高画質で低消費電力な液晶表示装置を提供する。【解決手段】画素電極4と前段のゲート線2間に、保護絶縁膜26のみを挟持し半導体膜23を含まない蓄積容量6を設け、画素電極電圧の過渡応答による変動を抑制する。薄膜トランジスタ基板11は、上部金属膜25によるソース電極32及びドレイン電極33の下部が半導体膜23で覆われ、半導体膜23の下部がゲート絶縁膜22で覆われ、ゲート絶縁膜22の下部がゲート電極31で覆われるパターンに形成している。ドレイン線3とドレイン電極33及び画素電極4とソース電極32を保護絶縁膜26に開口したスルーホール34を介して透明導電膜27で接続する。

請求項（抜粋）：

液晶を封入する一方の透明の絶縁基板上に、マトリックス状に交叉する複数のゲート線及びドレイン線と、その交叉部にゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、ソース電極に接続されて前記液晶に電圧を印加する画素電極を形成してなる液晶表示装置において、ドレイン電極とソース電極を分離するチャネル上を含んで保護絶縁膜が積層され、該絶縁膜に開口したスルーホールを介してドレイン線とドレイン電極及び、ソース電極と画素電極が各々接続され、且つ、画素電極と前段のゲート線の重なり部分に前記保護絶縁膜のみを含む蓄積容量が形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1335 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1335 , H01L 29/78 612 Z

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