特許

J-GLOBAL ID：200903033020402440

ドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206081
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 ブランケットCVD法により成膜されたW層(Blk-W層)のエッチバックにおいて、ローディング効果を抑制し、Ti系バリヤメタルに対する選択性を向上させる。【構成】 Blk-W層5のエッチバック工程のうち、少なくともTiNバリヤメタル4との界面付近ではBr系ガスを使用し、ウェハを加熱する。BrとWとの反応生成物WBr6 は蒸気圧が比較的低く、一方、BrとTiとの反応生成物TiBr4 は蒸気圧が比較的高い。つまり、エッチバックをF系ガスを用いて行う場合よりはエッチングを低速化してローディング効果を抑制でき、Cl系ガスを用いる場合よりは高選択比が得られる。たとえば、ジャストエッチング時はHBr/SF6 混合ガス、オーバーエッチング時はHBrを用いれば、高速エッチバックにより接続孔3aを平坦に埋め込むことができる。

請求項（抜粋）：

チタン系バリヤメタルと高融点金属層とをこの順に積層することにより構成され、層間絶縁膜に開口された接続孔を略平坦に埋め込むごとく形成されてなる積層配線層をエッチバックするドライエッチング方法において、少なくとも臭素系化合物を含むエッチング・ガスを用いて前記高融点金属層をエッチバックする第1の工程と、前記チタン系バリヤメタルをエッチバックする第2の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3205